울프스피드(wolfspeed)가 50억달러를 투자해 SiC(실리콘 카바이드) 웨이퍼 생산량을 10배 늘린다.

울프스피드는 9일 기존 더럼 공장 근처에 전략적으로 위치한 노스캐롤라이나 채텀카운티에 20억달러를 투자해 신규 SiC 제조시설을 건설할 것이라고 밝혔다.

신규 SiC 팹은 기존 150㎜ 웨이퍼보다 1.7배 큰 200㎜ SiC 웨이퍼를 생산해 웨이퍼당 SiC 반도체 생산량을 높이고, 비용을 절감할 것으로 기대를 모으고 있다.

신규 200㎜ 웨이퍼는 올해 초 개장한 모호크밸리(Mohawk Valley) 팹에 공급될 예정이다.

해당 시설은 2024년 완공을 목표로 하고 있다.

이번 투자를 포함해 울프스피드는 총 50억달러에 이르는 투자를 진행 할 계획이며, 2024년 이후 추가적인 투자가 이뤄진다고 언급했다. 총 투자가 진행되면, 현재 대비 10배 이상의 생산량을 확보할 것으로 전망된다.

그렉 로우(Gregg Lowe) 울프스피드 CEO는 “향후 5년간 SiC 웨이퍼는 수요 대비 공급이 부족할 것으로 예상하고 주요 수요처는 전기차에 탑재되는 인버터”라고 전했다.

한편, SiC 웨이퍼는 화합물 반도체를 제조하기 위해 사용되는 기판으로 기존 실리콘 반도체 대비 3배 이상 넓어 동일 면적에서 10배 이상의 고전압을 견딜 수 있다.

주로 전력 반도체에 사용되며, 온보드 충전, 전기차 인버터, 태양광발전기 등에 주로 사용된다.

울프스피드는 2011년 업계 최초로 SiC 모스펫을 출시했으며, 이후 전기자동차 분야에서 기존 IGBT 솔루션에서 실리콘 카바이드 솔루션의 전환을 주도해 왔다.