실리콘 카바이드(SiC)는 △전기차(EV) △전기차 충전 △에너지 인프라의 효율성을 높이는 데 필수적이며 세계 경제의 탈탄소화에 기여한다. 미국은 1990년대 후반과 2000년대 초반에 SiC에 대한 학술 연구가 크게 발전했지만, 이후 그 규모가 점차 줄었다. 최근 협약을 통해 미국 내 SiC 결정 연구가 다시 활성화되려는 움직임이 보이고 있다.

온세미가 실리콘 카바이드(SiC) 연구를 활성화하기 위해 미국 펜실베이니아 주립대학교(Pennsylvania State University, 이하 펜실베이니아 주립대)와 800만달러(한화로 약 106억원) 규모의 전략적 협력을 위한 양해각서(MOU)를 체결했다고 19일 발표했다.

이번 협력을 통해 펜실베이니아 주립대 재료 연구 기관(Materials Research Institute, MRI)에 온세미 실리콘 카바이드 크리스탈 센터(onsemi Silicon Carbide Crystal Center, 이하 SiC3)가 설립된다. 온세미는 향후 10년간 매년 80만달러(약 10억원)의 자금을 SiC3에 지원할 예정이다.

펜실베이니아 주립대와 온세미는 SiC3에서 SiC 연구 수행 외에도 반도체 산업에서 기술 일자리의 수요 증가에 대한 인식을 높이고 있다. 이는 미국 반도체 제조 점유율을 높이기 위한 노력의 일환으로, 인턴십 및 협력 프로그램과 같은 인력 개발 이니셔티브에 협력하며 펜실베이니아 주립대의 커리큘럼에 SiC 및 와이드 밴드갭 결정 연구를 포함한다.

이러한 펜실베이니아 주립대와의 온세미는 소외된 지역사회의 초중고 학생 지원부터 현재와 미래의 인력 개발을 지원하는 대학 협력에 이르기까지 STEAM(과학, 기술, 공학, 예술 및 수학) 교육을 촉진하기 위해 노력하고 있다.

펜실베이니아 주립대의 연구부총장인 로라 바이스(Lora Weiss)는 펜실베이니아 주립대와 온세미의 협력이 각 기관의 입증된 강점을 고려할 때 완벽한 조화를 이룬다고 언급했다.

로라 연구부총장은 "우리는 반도체 및 기타 기술에 사용되는 박막, SiC 및 기타 재료에 대한 연구를 지원하는 세계적 수준의 나노팹 및 특성화 시설을 보유하고 있다"며 "온세미와 펜실베이니아 주립대 간의 이러한 상호 보완적인 역량은 연구 및 개발, 경제 성장, 인력 개발에 큰 영향을 미칠 것이다"고 말했다.

온세미의 파워 솔루션 그룹 최고기술경영자(CTO)인 파벨 프로인드리히(Pavel Freundlich)는 "펜실베이니아 주립대는 SiC 결정 성장 연구 프로그램을 빠르게 구축할 수 있는 독보적인 위치에 있다"며 "이 대학은 현재 재료 연구, 나노팹 시설의 웨이퍼 처리 능력, 세계적 수준의 포괄적인 계측 기기 제품군을 기반으로 광범위한 역량을 제공한다"고 말했다.

펜실베이니아주립대의 부총장인 저스틴 슈왈츠(Justin Schwartz)는 "향후 10년 동안 이 협력을 통해 펜실베이니아주립대는 반도체 결정 과학 및 인력 개발에 대해 미국 최고의 자원이 될 것”이라며, “기업 및 산업 참여 담당 수석 이사인 프리야 바부(Priya Baboo)의 관계 구축 노력과 재료 과학 및 공학 교수인 조슈아 로빈슨(Joshua Robinson)의 기술 전문성, 그리고 온세미 관계자들이 없었다면 불가능했을 것이다"고 말했다.

온세미의 대학 관계 담당 부사장인 스콧 앨런(Scott Allen)은 "펜실베이니아 주립대가 SiC 및 와이드밴드 갭 기술 전문 과정 제공을 위해 커리큘럼을 확장한 것은 온세미의 전략적 인력 개발 목표를 달성하는 데 중요한 역할을 할 것이다"이라며 "최근 서명된 미국의 반도체 칩과 과학법(CHIPS and Science Act)에 명시된 미국 반도체 인력 목표를 달성하는 데 도움이 될 것"이라고 덧붙였다.