메모리 반도체 종주국을 자랑하는 한국에서 국제 메모리 워크숍이 열렸다. 삼성전자가 기조연설에서 차세대 메모리 기술인 IGZO 기반 수직 채널 트랜지스터를 소개하며 최신 메모리 기술 발표장을 뜨겁게 달궜다.

제16회 IEEE 국제 메모리 워크숍(IMW) 2024이 서울 그랜드 워커힐 호텔에서 12일 개최했다. 

나흘 간 진행되는 IMW 2024에는 △낸드플래시 △D램 △R램 △Ferro △3D 공정 등 다양한 분야의 메모리 기술 세션으로 구성됐다.

오프닝 세션이 열린 13일 키노트 세션으로 △삼성전자 △SK하이닉스 △키옥시아에서 초청연사들이 최신 메모리 이슈를 발표했다.

하대원 삼성전자 DS 마스터가 서브 10나노 노드에서의 차세대 D램 셀 구조로 IGZO 기반 기술을 제시해 주목을 받았다.

IGZO는 인듐(In), 갈륨(Ga), 산화아연(ZnO)으로 구성된 금속 산화물 소재로 IGZO 기반 수직 채널 트랜지스터(VCT)를 통해 차세대 D램으로의 확장을 도모하고 있었다. IGZO 소재는 △높은 전자 이동도 △낮은 누설전류 △저전력에 적합한 높은 on/off ratio △저온 공정에서의 적합성 등이 장점으로 거론되고 있다.

웨이퍼 본딩 필요없이 코어 및 주변 트랜지스터 위에 모놀리식으로 적층되는 IGZO 기반 VCT는 누설 전류가 낮아 10나노 이하 D램에서 적합한 것으로 알려져 있다.

IGZO 채널의 증착은 PVD(물리기상증착)과 ALD(원자층증착)에서 모두 가능하지만 ALD에서 두께와 상태를 정밀하게 제어할 수 있기에 ALD가 더 선호된다고 하대원 마스터는 덧붙였다. ALD 장비가 박막이 균일한 두께로 입혀지는 단차피복성(Step Coverage)이 뛰어난 특성으로 인해 10나노 이하 D램에서 선호될 것으로 기대가 되고 있다.

한편 14년만에 한국에서 개최한 IMW 2024는 서울대 재료공학부가 주관을 맡았으며 △어플라이드 머티리얼즈 △삼성전자 △SK하이닉스 △창신메모리(CXMT) △키옥시아 △도쿄일렉트론 △마이크론 △시높시스 등 글로벌 메모리 기업과 관련 소부장 기업 등이 다수 참여했다.

또한 프리미어 스폰서로 참여한 어플라이드 머티어리얼즈는 10년 이상 IMW를 후원해 왔다.