인텔이 인텔 3 기술을 통해 최첨단 핀펫 공정 노드 시리즈를 제공하고, 인텔 4 노드보다 10% 더 높은 집적도와 한 세대 앞선 성능을 제공한다.

인텔은 연례 VLSI 심포지엄(VLSI Symposium)에서 인텔 3 기술로 최첨단 파운드리 노드를 제공함으로써 공정 리더십을 회복하고 있다고 21일 밝혔다.

인텔 3 공정 노드는 전체 프로세서 코어에서 동일한 전력으로 최대 18% 더 나은 성능을 제공하며, 유연한 메탈 인터커넥트 옵션 세트와 이전 세대인 인텔 4 노드에 비해 최대 10% 더 높은 집적도를 제공한다.

이는 트랜지스터부터 메탈 스택에 이르기까지 공정의 모든 측면에서 세심한 최적화를 통해 이를 달성할 수 있었다. 이와 같은 집적도 향상은 인텔이 개발한 새로운 고집적도 표준 셀 라이브러리로 가능해졌다.

2021년에 인텔은 공정 기술 리더십을 회복하기 위해 대담한 마일스톤의 일환으로 4년간 5개 노드 달성(5N4Y)을 목표로 설정했다.

인텔 4 노드에는 트랜지스터 전면부터 후면의 비아 및 메탈 인터커넥트에 이르기까지 공정의 다양한 측면에 영향을 미치는 복잡한 기술인 EUV 리소그래피(lithography)를 도입했다.

900만대 이상 출하된 인텔 코어 Ultra 프로세서(Intel Core Ultra processor) 제품군에 사용된 인텔 4 노드는 AI PC 시대를 열었다.

계획대로 인텔 3 노드는 작년 말에 제조 준비(manufacturing readiness) 단계에 도달했다. 이는 인텔의 공정 기술이 정상 궤도로 돌아왔음을 입증한다.

또한 이 노드는 오레곤(Oregon)의 연구개발(R&D) 사이트에서 대량 생산에 도달했으며, 현재 아일랜드 레익슬립(Leixlip) 팹에서도 인텔 제품인 인텔 제온 6(Intel Xeon 6) 서버 프로세서를 포함한 파운드리 고객용 칩을 대량 생산하고 있다.

인텔 3 공정 노드는 리스크를 줄이고 일관적 실행이 가능하도록 설계되었으며 점진적으로 공동 개발된 네 가지 변형을 포함하고 있다.

우선 인텔 3-T 공정 노드는 기본 공정을 기반으로 하며 이미지 처리, 고성능 컴퓨팅, AI와 같은 여러 컴퓨팅 및 메모리 구성 요소를 단일 패키지에 통합해야 하는 3D 적층 응용 프로그램을 위해 TSV(Through Silicon Via)를 포함한다.

인텔 3-E 노드는 외부 인터페이스, 아날로그 및 혼합 신호 기능을 위한 폭넓은 I/O 세트를 추가해 적용 범위를 넓혔다.

인텔 3-PT 노드는 이러한 모든 기술적 향상을 단일 공정으로 결합한 후 디자이너에게 더 높은 성능 향상과 사용의 용이성을 제공하고, 초미세 9um TSV과 하이브리드 본딩 옵션을 제공해 더 높은 집적도의 3D 적층을 가능하게 한다.

인텔 3-PT 노드는 다양한 애플리케이션을 위해 성능, 유연성 및 비용 요소의 고유한 조합을 제공할 수 있을 것으로 본다. 핀펫 기반의 최첨단 공정 노드로서 향후 수년간 새로운 기술과 함께 내외부 파운드리 고객 모두를 위해 활용될 예정이다.

또한 인텔 3 노드는 파운드리 고객을 위해 지속 가능한 노드로 설계된 인텔 파운드리의 첫 최첨단 공정 노드로, 다양한 설계 및 제품 응용 프로그램에 지속적으로 기술 및 성능 향상을 제공할 것이다.

인텔 3 노드는 2023년 4분기에 제조 준비에 도달했으며 현재 인텔 제온 6 프로세서(Intel Xeon 6 processor) 제품군을 위해 대량 생산하고 있다.

인텔은 5N4Y 계획에 대한 실행 약속을 일관되게 이행하고 있으며, 인텔 20A 및 인텔 18A 공정 노드와 함께 리본펫(RibbonFET) 및 옹스트롬(angstrom) 시대로 전환하기 위한 기반을 마련하고 있다.

인텔 3 공정 노드에 대한 세부내용은 블로그에 있는 VLSI 논문 발표 영상을 통해 확인할 수 있다.

세부내용은 블로그 영상을 참조하거나 인텔팀의 논문인 ‘고성능 컴퓨팅 및 SoC(시스템온칩) 제품 응용 프로그램을 위한 인텔 3 고급 핀펫(FinFET) 플랫폼 기술’을 https://www.vlsisymposium.org/ 에서 확인할 수 있다.