성균관대 공과대학 신소재공학부의 황동목 교수, 이재현 박사, 삼성전자 종합기술원 황성우 전무, 주원제 박사 등이 공동으로 반도체 웨이퍼 위 “대면적의 단원자층 비정질 그래핀 합성” 원천기술을 세계 최초로 개발했다고 밝혔다.
2차원 평면상에 탄소원자가 연결된 비정질 그래핀
성균관대와 공동 개발, 사이언스 어드밴스지에 게재
성균관대 공과대학 신소재공학부의 황동목 교수, 이재현 박사, 삼성전자 종합기술원 황성우 전무, 주원제 박사 등이 공동으로 반도체 웨이퍼 위 “대면적의 단원자층 비정질 그래핀 합성” 원천기술을 세계 최초로 개발했다고 밝혔다.
성대-삼성전자 공동연구팀은 지난 2014년도에 반도체 기판 위에 단결정 그래핀을 대면적으로 합성하는 원천기술을 개발하였으며, 이번 후속연구를 통해 2차원물질내의 원자간 결함구조를 조절하여 2차원 평면상에서 탄소원자들이 랜덤하게 연결된 비정질 그래핀을 대면적으로 합성하는 데 성공하였다.
▲ 비결정 그래핀
황동목 교수는 “이번 성과는 차세대 산업의 핵심소재로 부각되고 있는 2차원 소재의 범위를 대폭 확장한 것이라는 의미를 가지고 있으며, 기존 결정성 2차원 소재와는 다른 비정질 2차원소재의 새로운 특성을 바탕으로 새로운 응용분야를 개척할 수 있을 것”이라고 전망했다.
이번 연구결과 논문은 사이언스 어드밴스(Science Advances)지 온라인판에 지난 10일 게재되었다.