텍사스 인스트루먼트(TI)가 22V에서 200V까지의 폭넓은 전압대와 다양한 방사선 내성 수준을 지원하는 우주 등급의 200V GaN FET 게이트 드라이버를 출시하며, 모든 유형의 우주 항공 임무에서 전력 시스템의 효율성을 향상시킨다.

TI는 방사능 내성 및 방사능 경화 기능을 갖춘 하프 브리지 질화 갈륨(GaN) 전계 효과 트랜지스터(FET) 게이트 드라이버 신제품군을 출시했다고 25일 밝혔다.

이 제품군에는 업계 최초로 최대 200V 작동을 지원하는 우주 등급 GaN FET 게이트 드라이버가 포함돼 있다.

TI의 우주 등급 GaN FET 게이트 드라이버는 태양광 패널의 입력 전원 공급부터 전력 분배 및 변환을 포함해 위성 전력 시스템 설계에 필요한 모든 전압 범위를 지원한다.

해당 제품군은 핀 투 핀 호환이 가능한 세라믹 및 플라스틱 패키징 옵션으로 제공되며, 세 가지 전압 레벨을 지원한다.

GaN 기술을 사용한 FET 게이트 드라이버는 크기, 무게 및 전력(SWaP ; Size, Weight and Power) 최적화를 통해 △전기 시스템의 성능 향상 △임무 지속 기간 연장 △위성의 질량 및 부피 감소 △열 관리 과부하 최소화와 같은 장점을 제공한다.

200V GaN FET 게이트 드라이버는 추진 시스템과 태양광 패널의 입력 전력 변환에 적합하며, 60V 및 22V 버전은 위성 내 전력 분배와 변환 용도로 설계됐다.

또한 TI의 우주 등급 GaN FET 게이트 드라이버 제품군은 세 가지 전압 레벨에 따라 △방사선 경화(radiation-hardened) △방사선 내성(radiation-tolerant) 등 다양한 우주 항공 인증 패키징 옵션을 제공한다.

TI의 새로운 게이트 드라이버는 상승 및 하강 시간이 짧고 GaN FET를 정확하게 구동하도록 설계돼 전원 공급 장치의 크기와 밀도를 개선한다.

이를 통해 위성은 태양광 패널에서 생성된 전력을 보다 효과적으로 사용하여 임무를 수행할 수 있다.

TI 우주 항공 전력 제품 사업부의 하비에르 바예(Javier Valle) 제품 라인 매니저는 “위성은 글로벌 인터넷 서비스 제공부터 기후 및 운송 활동 모니터링에 이르기까지 여러 가지 중요한 임무를 수행하며 인류가 세상을 더 잘 이해하고 탐색하도록 돕는다”며 “TI의 새 제품군은 저궤도, 중간 궤도, 정지궤도 상의 위성들이 우주의 극한 환경에서 높은 수준의 전력 효율을 유지하면서도 장기간 작동할 수 있도록 지원한다”고 밝혔다.