ROHM2 : Self Turn-on현상을 막기위해 기존에 Negative bias를 구성해야 했습니다. 현재 로옴 SiC 4세대 제품의 솔루션은 Negative bias 인가 필요가 없습니다.

ROHM2 : 일반적으로 스위칭 속도가 높아질 수록 Peak 전류도 상승합니다. Gate 저항치로 Switching 속도를 조절하는 방법 등으로 설계가 필요합니다.

ROHM3 : 단방향 TVS는 LH 회로 등, 편극 회로에서 보호 소자로서 사용되고, 양극 회로의 보호에는 적합하지 않습니다. 양방향 TVS는 플러스 마이너스 양극의 보호가 가능하므로, 양극 회로나 CAN 등의 데이터 라인 보호에 적합합니다. 또한, 양방향 TVS는 편극 회로의 보호에도 사용 가능합니다. 어플리케이션에 따라 대체여부가 달라질 수 있습니다. 감사합니다.

ROHM2 : RESD1ETHxx는 현재 개발 중인 제품으로 20kV의 내압은 시장 요구에 따라 그 이상으로 개발하는 것도 검토 가능합니다. 또한 RESD1ETHxx 시리즈로 DFN1006 PKG 또한 라인업 예정입니다.

ROHM2 : Vgs(th)의 편차로 인한 전류 쏠림 현상을 방지하기 위해서는 편차를 고려해 마진을 두어 Vgs를 인가해 주셔야 합니다. MOSFET의 turn on을 위해서는 사양서 상의 Vgs(th)보다는 항상 높은 전압을 인가하여 주십시오.

ROHM2 : 그렇습니다. 초기 설계 단계에서 회로 환경에 맞게 내압치를 계산하여 소자를 선택해 주셔야 합니다.

ROHM2 : 응력은 기판의 모서리로 갈수록 커지기 때문에 기판 중앙에 OP Amp 를 배치하는 것이 좋습니다. 또한 패키지 사이즈가 큰 것이 비교적 응력의 영향을 줄일 수 있기 때문에 정밀도가 필요한 경우에는 크기가 큰 패키지를 선택하는 것도 유효합니다.

ROHM2 : 로옴 홈페이지에서 OP Amp 설계 시뮬레이션이 가능합니다. 시뮬레이션은 하기 URL에서 User Guide를 참조해 주시기 바랍니다.https://www.rohm.co.kr/solution-simulator?utm_medium=webinar&utm_source=rohm&utm_campaign=231114

ROHM3 : SBD의 경우 가드링으로부터 소수 캐리어의 주입되는 형태로서 이 농도가 내압과 관계가 있으며 trr 속도에도 영향을 주게 됩니다.

ROHM3 : Auto Grade 제품의 경우 AEC-Q와 같은 전장부품 테스트를 통해 인증될 수 있도록 관리하고 있습니다.

ROHM1 : 사이즈가 같습니다만 내부 저항체소자에서 트리밍을 한번이 아니라 여러번 실시하여 저항체 소자를 길게 만들어 전위 강하를 완만하게 하여 서지에 강하게 만듭니다.

ROHM1 : 네 맞습니다. 어떤 어플리케이션에는 서지 보호에 적합할 수 있고 또 차량용에서는 온도변화 신뢰성에 민감하기 때문에 솔더크랙 제품이 유리할 수 있습니다.

ROHM1 : 장 수명화를 위한 시리즈이기 때문에 효과가 있을 것으로 생각됩니다.

ROHM2 : 일반적으로는 LED, 저항 직렬 회로에서는 차이가 없다고 생각합니다. 다만, 이는 LED 드라이버의 Application circuit guide에 따라 구성 방식이 결정될 수도 있고, 전체 회로를 확인하여, 판단하는 방식이 바람직하다고 생각합니다.

ROHM1 : 스너버 회로 구성하는 경우 저항 값의 제한은 없습니다만, 저항 값이 낮아 지면 낮아 질 수로 저항의 발열로 나타 나기 때문에 일반적으로는 10옴 전후의 제품을 구성하게 됩니다.

ROHM2 : 그렇습니다. 사용하는 C BYPSS 용량에 DC 바이어스 성분때문에 일반적으로 높은 주파수에는 낮은 Capactor가 유용하게 됩니다.

ROHM1 : 공통모드 필터의 경우 대부분의 경우 GND 패턴을 제거 하는것이 효과적 이었습니다. 그래서 공통모드 핕터의 아랫부분은 GND를 제거 하는것으로 권장 드리고 있습니다.

ROHM1 : 필터의 경우 어느정도 정형화 되어 있어서 기생 성분까지 아니더라도 일반적인 값을 유추 할수 있는 내용을 계산시트를 제공 하고 있습니다.

ROHM2 : 온도 계수 특성(TCR)은 저항치에 따라 변화할 수도 사이즈 및 시리즈에 따라 변화할 수 있습니다. TCR 특성은 저항체에 사용하는 산화 루테늄의 재료 물성을 따릅니다.

ROHM1 : 안녕하세요. 질문 감사합니다. Tolerance는 공정상의 오차이며, 그 외에는 온도 등의 외부요인이 영향을 끼칠 수 있습니다.