D램 양산 시작으로 차세대 V낸드와
초미세 파운드리 제품 생산 예정


삼성전자는 30일, 세계 최대 규모의 반도체 생산 라인인 평택 2라인의 가동에 들어갔다고 밝혔다. 이 라인에서는 업계 최초로 극자외선(Extreme Ultraviolet; EUV) 공정을 적용한 3세대 10나노급(1z) LPDDR5 모바일 D램이 생산된다.

평택 2라인은 총면적이 축구장 16개 크기인 12만8,900㎡에 달하며, D램 양산을 시작으로 차세대 V낸드, 초미세 파운드리 제품 등을 2021년 하반기부터 생산할 방침이다.

2015년부터 조성된 평택 캠퍼스는 289만㎡의 부지를 가진 삼성전자의 차세대 반도체 전초기지다. 평택 1라인은 2017년 6월 양산을 시작했으며 평택 2라인은 2018년 1월 착공되어 이번에 처음으로 D램 제품을 출하했다.

이번에 출하한 EUV 공정이 적용된 3세대 10나노(1z) 16Gb LPDDR5 모바일 D램은 동작 속도(6400Mb/s)가 기존 12Gb LPDDR5 모바일 D램(5500Mb/s)보다 16% 빠르다.

기존 제품(12Gb 칩 8개와 8Gb 칩 4개 필요)과 달리 8개 칩만으로 16GB 제품을 구성할 수 있으며, 64핀(x64, JEDEC 규격) 구성 패키지 기준으로 16GB 제품은 1초에 51.2GB의 데이터를 처리할 수 있다. 이에 따라 부품 수가 많은 5G 스마트폰이나 폴더블폰 등에 적합하다.

삼성전자는 향후 고온 신뢰성을 확보하여 전장용 제품까지 사용처를 확대할 계획이다.