TSMC가 올해 3분기 중 4나노 반도체 시험 생산에 들어가고, 3나노 반도체는 내년 하반기에 본격 양산에 돌입할 것이라고 밝혔다.

TSMC는 지난 1일부터 2일까지 온라인 기술 심포지엄을 개최했다.

이번 심포지엄에서는 △첨단 로직 기술 △특수기술 △TSMC 3DFabric™ 고급 패키징 및 칩 스태킹 기술에 대한 최신 혁신을 공개했다. 또한 차세대 5G 스마트 폰 및 WiFi 6/6e 성능을 위한 N6RF, 최첨단 자동차 애플리케이션을 위한 N5A 및 다양한 범위에 걸친 개선 사항도 발표됐다.

TSMC의 CEO 인 CC Wei 박사는 “사람들이 기술을 사용해 글로벌 전염병 인해 발생하는 장벽을 극복하고 연결, 협력 및 문제를 해결함에 따라 디지털화는 그 어느 때보다 빠르게 사회를 변화시키고 있다”며 “이런 디지털 변혁은 반도체 산업에 기회로 가득 찬 새로운 세상을 열었다. 우리의 글로벌 기술 심포지엄은 고객의 혁신을 이끌어 내기 위해 기술 포트폴리오를 강화하고 확장하는 많은 방법을 강조한다”고 말했다.

발표에 따르면 TSMC는 4㎚ 제품인 N4를 2021년 3분기 시험 생산할 예정이다. N4는 2020년 기술 심포지엄에서 발표된 이래로 순조롭게 개발되고 있으며, 5㎚ 제품군에서 성능, 전력 효율성 및 트랜지스터 밀도를 더욱 향상시키고, 마스크 레이어를 줄여 N5와의 설계 규칙에서 밀접한 호환성을 제공한다.

또한 TSMC는 5㎚ 제품군의 최신 제품인 N5A를 소개했다 . N5A 프로세스는 AI 지원, 운전자 지원 및 차량 조종석 디지털화와 같은 새롭고 더 집약적인 자동차 애플리케이션에서 컴퓨팅 성능에 대한 증가하는 수요를 충족하는 것을 목표로 한다.

N5A는 오늘날 슈퍼컴퓨터에서 사용되는 것과 동일한 기술을 차량에 적용해 N5의 성능, 전력 효율성 및 로직 밀도를 제공하는 동시에 AEC-Q100 Grade 2의 엄격한 품질 및 신뢰성 요구 사항과 기타 자동차 안전 및 품질 표준을 충족한다. TSMC N5A는 성장하고 있는 TSMC 자동차 설계 지원 플랫폼의 지원을 받으며 2022년 3분기에 출시 될 예정이다.

3㎚ 기술인 N3는 2022년 하반기에 양산을 시작할 계획이다. 최고의 성능, 전력 효율성 및 비용 효율성을 위해 입증 된 FinFET 트랜지스터 아키텍처에 기반을 둔다. 속도가 빨라지는 것은 물론 5㎚ 보다 최대 30% 적은 전력을 소비하고 최대 70%의 로직 밀도 이점을 보일 것으로 예상된다.

5G 시대를 위한 고급 무선 주파수 기술인 N6RF에 대해서도 발표했다.

N6RF는 고급 N6 로직 프로세스의 전력, 성능 및 면적 이점을 5G 무선 주파수(RF) 및 WiFi 6/6e 솔루션에 제공하는 프로세스다.

N6RF 트랜지스터는 16㎚에서 이전 세대의 RF 기술에 비해 16% 이상의 높은 성능을 달성한다. 또한 N6RF는 소비자에게 제공되는 성능, 기능 및 배터리 수명을 손상시키지 않으면서 6 기가 헤르츠 이하 및 밀리미터파 스펙트럼 대역 모두에 대해 5G RF 트랜시버에 대해 상당한 전력 및 면적 감소를 지원한다. 또한 WiFi 6/6e 성능과 전력 효율성을 향상시킨다.

3D 실리콘 스태킹 및 고급 패키징 기술의 통합 솔루션인 3DFabric에 대해서도 발표했다.

고성능 컴퓨팅 애플리케이션의 경우 TSMC는 2021년에 InFO_oS 및 CoWoSⓡ 패키징 솔루션 모두에 대해 더 큰 레티클 크기를 제공해 칩렛 및 고 대역폭 메모리 통합을 위한 더 큰 플로어 플랜을 가능하게 할 계획이다.

또한 TSMC-SoIC™의 CoW(chip-on-wafer) 버전은 올해 N7-on-N7 인증을 받았으며 새로운 완전 자동화 공장에서 2022년 생산을 목표로 정했다.

모바일 애플리케이션을 위해 TSMC는 강력한 모바일 프로세서를 성능과 전력 효율성이 향상된 슬림하고 콤팩트한 패키지에 통합하고 모바일 장치 제조업체의 패키지에 DRAM 스태킹을 지원하도록 설계된 InFO_B 솔루션을 소개했다.