국방과학연구소(국과연, 소장 박종승)가 질화갈륨(GaN) 전력증폭소자 국산화 개발로 첨단무기 전력화 기반을 마련했다.

국과연은 질화갈륨(GaN) 전력증폭소자 양산 공정 기술을 국내 기술력으로 확보하는 데 성공했다고 22일 밝혔다.

질화갈륨 전력증폭소자는 높은 효율로 고출력을 가능하게 하는 특성을 가지는 반도체 부품으로 단시간 내 고강도의 에너지를 발산하는 레이다를 비롯한 첨단무기체계에 탑재가 가능하다.

특히 질화갈륨 전력증폭소자는 감시정찰용 능동 전자 주사식 위상배열(AESA : Active Electronically Scanned Array) 레이다와 5세대 이동통신 장비에도 장착되는 부품으로 높은 출력의 전력량을 안정적으로 가동하는데 주요한 역할을 담당한다.

그동안 국내 기술력 부재로 해외 수입에 의존해 오던 질화갈륨 전력증폭소자의 양산 공정 기술 확보라는 성과는 국과연이 2015년부터 2020년까지 진행한 선도형 핵심기술사업을 통해 이뤄졌다.

질화갈륨 전력증폭소자의 설계에서부터 공정기술과 양산기술개발을 거쳐 최종적으로 레이다 송수신 모듈에 질화갈륨 전력증폭소자를 적용할 수 있는 패키징 기술을 개발하기까지 국과연은 전기·전자 분야의 산·학·연과 긴밀하게 접촉하며 교류협력을 지속해왔다.

특히 한국전자통신연구원(ETRI)는 소자의 전기적 성능을 만족하도록 소자 구조를 설계하는 기술을 담당해 전문성을 더했다.

이번에 개발한 질화갈륨 전력증폭소자는 미국, 유럽, 일본 등 일부 기업에서만 양산 능력을 보유하고 국가 안보를 위한 전략물자로 지정해 수출 통제 대상으로 엄격히 관리함에 따라 국내 국방 연구 개발에 제한이 많았으나, 국내 개발이 가능해짐에 따라 자주국방을 위한 무기체계 개발의 지평을 넓히는데 기여할 것으로 기대된다.

앞으로도 국과연은 국내 기술력으로 개발된 질화갈륨 전력증폭소자 기술이 국방부문뿐만 아니라 민수분야에서도 원활하게 활용될 수 있도록 앞으로도 우수한 연구개발 역량을 갖춘 산·학·연과의 협력을 지속적으로 이어 나갈 예정이다.