세계 최초로 3나노 반도체 양산에 들어간 삼성전자가 제품 출하식을 개최하며 글로벌 파운드리 시장에서 기술력을 과시했다.

삼성전자가 25일 경기도 화성캠퍼스 V1라인(EUV 전용)에서 차세대 트랜지스터 GAA(Gate All Around) 기술을 적용한 3나노 파운드리 제품 출하식을 개최했다.

이 날 행사는 산업통상자원부 이창양 장관, 협력사, 팹리스, 삼성전자 DS부문장 경계현 대표이사(사장)와 임직원 등 100여 명이 참석해 3나노 GAA 연구개발과 양산에 참여한 임직원들을 격려했다.

3나노 출하식에 참석한 관계사에는 △김영재 대덕전자 대표이사 △이준혁 동진쎄미켐 대표이사 △정혁석 솔브레인 대표이사 △김창현 원세미콘 대표이사 △이현덕 원익IPS 대표이사 △이경일 피에스케이 대표이사 △고상걸 케이씨텍 부회장 △이장규 텔레칩스 대표이사가 자리한 것으로 전해졌다.

삼성전자 파운드리사업부는 3나노 GAA 공정 양산과 선제적인 파운드리 기술로 사업 경쟁력 강화에 집중하고 있다. 삼성은 화성캠퍼스에서 3나노 GAA 파운드리 공정 제품 양산을 시작했으며, 향후 평택캠퍼스까지 확대해 나갈 계획이라고 밝혔다.

정기태 삼성전자 파운드리사업부 부사장은 기술 개발 경과보고를 통해 파운드리사업부, 반도체연구소, 글로벌 제조&인프라총괄 등 사업부를 넘어선 협업으로 기술개발 한계를 극복한 점을 강조하는 등 개발에서부터 양산에 이르기까지의 과정을 설명했다.

경계현 삼성전자 DS부문장 대표이사는 "삼성전자는 이번 제품 양산으로 파운드리 사업에 한 획을 그었다"고 임직원들을 격려하며, "핀펫 트랜지스터가 기술적 한계에 다다랐을 때 새로운 대안이 될 GAA 기술의 조기 개발에 성공한 것은 무에서 유를 창조하는 혁신적인 결과"라고 말했다.

이창양 산업통상자원부 장관은 축사에서 삼성전자 임직원과 반도체 산업계의 노고에 감사를 표하고, "치열한 미세공정 경쟁에서 앞서기 위해 삼성전자와 시스템반도체 업계, 소부장 업계가 힘을 모아달라"고 당부하며, "정부도 지난주 발표한 '반도체 초강대국 달성전략'을 바탕으로 △민간 투자 지원 △인력 양성 △기술 개발 △소부장 생태계 구축에 전폭적인 노력을 아끼지 않을 것"이라 강조했다.

삼성전자는 GAA 트랜지스터 구조 연구를 2000년대 초부터 시작했으며, 2017년부터 3나노 공정에 본격 적용해 지난달 세계 최초로 GAA 기술이 적용된 3나노 공정 양산을 발표했다. 3나노 GAA 공정을 고성능 컴퓨팅(HPC)에 처음으로 적용하고, 주요 고객사와 모바일 SoC 제품 등 다양한 제품군에 확대 적용을 위해 협력하고 있는 것으로 알려졌다.

행사에 참석한 국내 반도체 장비 업체인 이현덕 원익IPS 대표이사는 "삼성전자와 함께 3나노 GAA 파운드리공정 양산을 준비하며 원익아이피에스 임직원의 역량도 한 층 더 강화됐다"며 "앞으로도 국내 반도체 장비 산업 발전을 위해 삼성전자와 함께 최선의 노력을 다하겠다"고 밝혔다.

또한, 국내 팹리스 업체인 이장규 텔레칩스 대표이사는 "텔레칩스는 삼성전자의 초미세공정을 활용한 미래 제품 설계에 대한 기대감이 크다"며 "삼성전자는 초미세 파운드리 공정을 국내 팹리스에 적극 제공하며 팹리스가 제품 설계 범위를 넓혀갈 수 있도록 다양한 지원책을 제공하고 있다"고 말했다.

한편, TSMC는 올 하반기로 3나노 양산 계획을 밝힌 가운데 TSMC 3나노는 기존 FinFET 공정이 적용될 것으로 보인다. 삼성전자가 기존 대비 차세대 MBCFET 공정을 선제적 도입한 것이 향후 어떤 나비 효과를 일으킬지 귀추가 주목되고 있다.