유럽 최초 SiC 에피택셜 기판 제조시설
수직적 통합, SiC 기판 공급능력 강화
다양한 전자 애플리케이션과 고객들을 지원하는 세계적인 반도체 회사인 ST마이크로일렉트로닉스(STMicroelectronics, 이하 ST)가 통합 실리콘 카바이드(SiC : Silicon Carbide) 기판 제조시설을 구축을 통해 SiC 기판 공급능력을 강화한다.
ST는 이탈리아에 통합 SiC 기판 제조시설을 구축한다고 7일 밝혔다.
이탈리아 카타니아(Catania)에 구축된 기존 SiC 디바이스 제조시설과 함께 이번 SiC 기판 제조시설은 모든 단계의 생산 플로우를 통합해 150㎜ SiC 에피택셜 기판을 대량 생산하는 유럽 최초의 시설이다.
오는 2023년 생산을 목표로 하고 있으며, 생산이 시작되면 내부와 유통 시장 간의 SiC 기판 공급이 균형적으로 이뤄질 것으로 예상된다.
이번 시설 구축으로 인해 자동차 및 산업용 애플리케이션 전반에 걸쳐 증가하는 SiC 디바이스에 대한 수요를 지원할 예정이다.
이 프로젝트는 ST의 SiC 사업에 대한 수직적 통합 전략을 발전시키는 핵심 단계다.
5년 동안 7억3천만유로(한화 약 1조165억원)에 달하는 자금을 국가회복 및 복원계획(National Recovery and Resilience Plan)의 틀에 따라 이탈리아 정부에서 지원받고, 완공되면 약 700개의 추가 일자리를 직접적으로 창출하게 된다.
ST의 사장 겸 CEO인 장 마크 쉐리(Jean-Marc Chery)는 “ST는 200억달러(한화 약 28조원) 이상의 수익 목표를 달성하고자 추가로 300㎜ 제조 역량을 갖추고 와이드 밴드갭(Wide Bandgap) 반도체에 대한 집중 투자를 통해 글로벌 제조 운영을 혁신하고 있다.
ST는 카타니아에서 사업을 확장하고 있으며, 이는 전력 반도체 기술의 중심지이자 이탈리아 연구기관, 대학, 공급업체들과 긴밀히 협력해 SiC 연구, 개발 및 제조역량을 통합해 온 곳이다”라며 “새로운 시설은 SiC의 수직적 통합 전략에서 핵심이 될 것이며, 공급물량을 더욱 늘려 SiC 기판 공급을 강화함으로써 전기화와 고효율화로의 전환을 꾀하는 자동차와 산업 고객을 지원하게 된다”고 밝혔다.
SiC 분야를 선도하는 ST의 리더십은 25년 동안 방대한 핵심 특허 포트폴리오를 통해 R&D에 집중하고 노력해 온 결과다.
최대 규모의 SiC R&D 및 제조시설이 위치한 카타니아는 ST의 혁신에 오랫동안 주요 역할을 수행했으며, 더 많은 물량의 향상된 SiC 디바이스를 생산하는 새로운 솔루션 개발에 성공적으로 기여해 왔다.
이번 투자는 ST와 다양한 이해관계자(대학교, 이탈리아 국립 연구 위원회 CNR, 장비 및 제품 제조 관련 기업)와의 장기적이고 성공적인 협력뿐만 아니라 대규모 공급업체 네트워크를 기반으로 구축된 전력전자 에코시스템과 더불어 추가 성장 기회 및 실리콘 카바이드 기술을 위한 글로벌 역량 센터로서 카타니아의 역할을 더욱 강화하게 된다.
ST의 첨단 대량생산 STPOWER SiC 제품은 현재 카타니아와 싱가포르 앙 모 키오(Ang Mo Kio) 팹에서 제조한다.
어셈블리 및 테스트는 중국 선전(Shenzhen)과 모로코 부스코라(Bouskoura)에 위치한 백엔드 시설에서 이뤄지고 있다.
SiC 기판 제조시설에 대한 투자는 이러한 전문 기술이 바탕이 됐으며, 2024년까지 내부 기판 소싱 40%에 도달하고자 하는 ST의 여정에 중요한 이정표다.