키옥시아(Kioxia)와 웨스턴디지털(Western Digital, 이하 WD)이 합작한 최신 3D 플래시 메모리 기술의 세부 정보가 공개됐다.

최근 양사는 엔지니어링 파트너십을 통해 첨단 스케일링과 웨이퍼 본딩 기술을 적용한 8세대 낸드 플래시를 성공적으로 출시했다고 30일(현지시간) 밝혔다.

218단 3D 낸드 플래시는 1Tb TLC와 QLC 및 비트 밀도를 50% 이상 높인 측면 수축 기술이 특징적이라고 설명했다. 초당 3.2Gb 이상으로 이전 세대보다 60% 향상된 고속 낸드 I/O 속도와 쓰기 성능 및 읽기 대기 시간 향상이 결합돼 성능과 사용 편의성이 가속화될 것으로 전망했다.

키옥시아와 WD는 일부 고유한 프로세스 및 아키텍처를 도입해 비용을 절감하고, 지속적으로 수평 스케일링(Lateral Scaling)을 발전시켰다. 수직 및 수평 스케일링 사이에서 균형을 찾아 최적화된 비용으로 더 적은 레이어에 더 작은 다이 크기로 더 큰 용량을 구현하도록 설계했다.

또한 CBA(CMOS direct Bonded to Array) 기술을 개발·적용했는데, 이는 각각의 CMOS 웨이퍼와 셀 어레이 웨이퍼를 개별적으로 제조한 다음 결합해 향상된 비트 밀도와 빠른 낸드 I/O 속도를 제공한다고 설명했다.

마사키 모모도미 키옥시아 최고 기술책임자는 “엔지니어링 파트너십을 통해 8세대 BiCS FLASH를 성공적으로 출시했으며 일부 고객에게 샘플 배송을 시작했다”며 “CBA 기술과 확장성을 적용함으로써 스마트폰, IoT, 데이터센터를 포함한 다양한 데이터 중심 애플리케이션에서 사용할 수 있는 3D 플래시 메모리 기술 포트폴리오를 업데이트시켰다”고 말했다.

알페르 일크바하르(Alper Ilkbahar) WD 기술·전략 담당 수석 부사장은 “새로운 3D 플래시 메모리는 키옥시아와의 강력한 파트너십에서 비롯된 이점을 보여준다”며 “하나의 공통된 R&D 로드맵과 지속적인 투자를 통해 기술을 일정보다 일찍 제품화하고 고성능의 비용 효율적인 솔루션을 제공할 수 있게 됐다”고 덧붙였다.