데이터 처리 속도 초당 2TB 넘어, 기존比 60% 이상 향상
어드밴스드 MR-MUF 공정적용, 휨현상 최소화 안정성 ↑
SK하이닉스가 세계 최초로 ‘HBM4 12단’ 샘플을 공급하며, AI 반도체 경쟁서 한 발 앞서나갔다.
SK하이닉스는 19일 “HBM 시장을 이끌어온 기술 경쟁력과 생산 경험을 바탕으로 당초 계획보다 조기에 HBM4 12단 샘플 출하를 시작했다”고 밝혔다.
회사는 고객사와의 인증 절차를 시작하고, 올 하반기 내 양산 준비까지 완료할 계획이다.
이번에 공개된 HBM4 12단 제품은 AI 반도체에서 요구하는 초고속 데이터 처리가 가능한 최상급의 D램으로 평가된다.
이 제품의 데이터 처리 속도는 초당 2테라바이트(TB)를 넘어섰다.
이는 기존 세대 제품(HBM3E)보다 60% 이상 향상된 속도로, FHD급 영화(5GB 기준) 400편 이상을 단 1초 만에 처리할 수 있는 수준이다.
회사는 이번 신제품이 속도뿐 아니라 용량 측면에서도 세계 최고 수준이라고 강조했다.
아울러 SK하이닉스는 이번 신제품 제조에 ‘어드밴스드 MR-MUF’ 공정을 적용했다.
이 공정은 메모리 칩이 쌓이는 과정에서 발생할 수 있는 휨 현상을 최소화하고, 방열 성능도 크게 향상시켜 제품 안정성을 높이는 기술이다.
이를 통해 12단 적층 기준 36GB 용량 구현에도 성공했다.
SK하이닉스는 최근 몇 년간 HBM 제품의 기술 개발과 양산에서 경쟁력을 지속적으로 입증해왔다.
2022년 HBM3 양산을 시작으로, 2024년에는 HBM3E 8단 및 12단 제품을 세계 최초로 양산하며 글로벌 AI 메모리 시장의 주도권을 확보한 바 있다.
이번 HBM4 샘플 공급 또한 차세대 AI 메모리 시장 선점을 위한 행보로 풀이된다.
김주선 SK하이닉스 AI 인프라 부문 사장은 “고객 요구에 따라 지속적으로 기술의 한계를 극복해왔다”며 “세계 최대 규모의 HBM 공급 경험을 기반으로 성능 검증 및 양산 준비를 차질 없이 마칠 것”이라고 밝혔다.
회사는 이번 제품을 통해 향후 초거대 AI 시장에서의 경쟁력을 더욱 강화하겠다는 전략이다.
AI 시장의 폭발적 성장과 함께 초고속, 고용량 메모리 수요가 급증하는 상황에서 SK하이닉스의 이번 HBM4 제품이 글로벌 반도체 시장 판도에 어떤 영향을 미칠지 업계의 관심이 쏠리고 있다.