고속 데이터 입출력, 저전력소비, 대용량 달성

도시바 메모리 코퍼레이션이 세계 최초로 TSV기술을 적용한 3D플래시 메모리를 개발했다

도시바 메모리 코퍼레이션이 셀당 3비트를 저장하는 3중셀(TLC) 기술이 채용된 TSV(실리콘 관통전극) 기술을 적용하여 BiCS FLASH 3D플래시 메모리를 개발했다고 발표했다. 

제품 샘플은 2017년 후반기에 공개될 예정인 디바이스의 시제품은 미국 캘리포니아주 산타클라라에서 8월7~10일에 열리는 2017플래시 메모리 서밋(2017 Flash Memory Summit)에서 공개될 예정이다. 
  
TSV 기술을 적용한 디바이스는 데이터를 고속으로 입출력하면서 전력 소모를 줄이는 구조로 수직 전극 및 바이어스가 실리콘 다이(die)를 통과하여 연결성을 제공한다. 실제로 사용하는 성능은 이전에 발표된 도시바의 2D 낸드(NAND) 플래시 메모리를 통해 이미 입증됐다. 
  
도시바 메모리 코퍼레이션은 48레이어 3D플래시 공정과 TSV기술을 결합하여 제품의 프로그래밍 대역폭을 성공적으로 증대시키면서 전력 소비를 낮췄다. 단일 패키지의 전력 효율성은 와이어 본딩 기술을 적용한 동일 세대 BiCS FLASH™ 메모리의 약 두 배가 된다고 회사 측은 설명했다. 또 TSV기술을 적용한 BiCS FLASH 메모리는 단일 패키지에 16 다이를 적층한 구조로 용량이 1테라바이트(TB)에 이른다고 전했다. 
  
이 회사는 TSV기술을 적용한 BiCS FLASH 메모리를 상용화하여 기업용 고성능 SSD를 포함한 저지연성, 고대역폭의 IOPS(초당 입출력 횟수)/와트를 필요로 하는 스토리지 애플리케이션에 적합한 솔루션을 제공할 예정이다.