래티스 반도체가 새로운 저전력 FPGA 플랫폼인 넥서스와 이를 기반으로 제작된 첫 디바이스인 크로스링크-NX를 발표했다. 래티스 넥서스 플랫폼은 에지에서 AI 애플리케이션을 구현하려는 임베디드 개발자를 위해 설계됐으며, 삼성전자 28nm FD-SOI 공정 기술로 개발됐다.
래티스, 넥서스 플랫폼 및 래디언트 2.0 발표
크로스링크-NX, 로직 셀당 170bit 메모리 지원
삼성전자 28nm FD-SOI 기술로 개발돼
래티스 반도체가 11일, 새로운 저전력 FPGA 플랫폼 ‘래티스 넥서스(Lattice Nexus)’와 이를 기반으로 제작된 첫 디바이스인 ‘크로스링크(CrossLink)-NX’를 발표했다.
▲래티스 넥서스 플랫폼 기반 첫 디바이스
크로스링크-NX (사진=레티드 반도체)
래티스 넥서스 플랫폼은 에지에서 AI 애플리케이션을 구현하려는 임베디드 개발자를 위해 설계됐으며, 삼성전자 28nm FD-SOI(Fully-Depleted Silicon-On-Insulator) 공정 기술로 개발됐다. 이 기술은 벌크형 CMOS보다 트랜지스터 누설이 50% 적다. 래티스는 이로써 삼성전자 파운드리의 첫 FPGA 고객이 되었다.
FPGA 설계용 소프트웨어 툴인 ‘래티스 래디언트(Lattice Radiant) 2.0’도 함께 출시했다. 설계 기획 단계부터 IP 이식, 구현, 비트스트림 생성, FPGA에 비트스트림을 다운로드하는 등의 설계 흐름을 자동화했기 때문에 FPGA 비숙련 개발자도 쉽게 개발할 수 있다.
크로스링크-NX, 동급 FPGA 대비 전력 소모 75%
넥서스 플랫폼 기반 첫 FPGA 디바이스인 크로스링크-NX는 임베디드 비전 시스템은 물론, 통신, 컴퓨팅, 산업, 자동차, 컨슈머 시스템용 AI 솔루션 개발에 필요한 저전력, 소형 폼팩터, 신뢰성, 성능 특성을 갖췄다.
동급 경쟁 FPGA 제품들과 비교하여 전력 소모가 최대 75% 적으며, 소프트웨어 오류율(Soft Error Rate; SER)은 최대 100배 낮다. 또한, MIPI, PCIe, DDR3 메모리를 포함한 다양한 고속 I/O를 지원한다.
크로스링크-NX는 시스템 부팅 시간이 길면 안 되는 산업용 애플리케이션을 지원할 수 있도록 인스턴트온(instant-on) 기능도 지원한다. 3ms 안에 I/O 설정이 가능하며, 전체 디바이스 설정도 15ms 이내에 가능하다.
에지 디바이스에서 효율적인 AI 추론이 가능하도록 모든 로직 셀당 전 세대 디바이스보다 2배 많은 170bit의 메모리를 지원한다. 6×6mm 폼 팩터로 제공되는 크로스링크-NX는 동급 경쟁 FPGA 제품보다 크기가 최대 1/10 수준이다.
래티스는 래디언트 2.0뿐만 아니라 MIPI D-PHY, PCIe, SGMII, OpenLDI 같은 IP 코어 라이브러리, 4:1 이미지 센서 애그리게이션 같은 일반적인 임베디드 비전 애플리케이션용 데모 자료들도 함께 제공한다.
▲잉 젠 첸 래티스 아태지역 사업개발 디렉터
(사진=이수민 기자)
잉 젠 첸(Yign Jen Chen) 래티스 아태지역 사업개발 디렉터는 “FPGA는 에지에서의 AI 추론, 센서 관리 등 새로운 기술들이 요구하는 전력 효율적 성능을 지원한다”라며, “FPGA의 병렬 처리 및 재프로그램 능력을 높여줄 래티스 넥서스 플랫폼은 래티스의 향후 제품 출시 속도를 가속화할 것”이라고 밝혔다.
그러면서 “래티스 넥서스 플랫폼은 빠르게 성장하고 있는 핵심 애플리케이션을 겨냥하여 사용하기 편한 솔루션 스택을 제공한다”라며 “FPGA 설계에 익숙하지 않은 사용자도 쉽고 빠르게 자신의 시스템을 개발할 수 있게 지원한다”고 말했다.