인텔이 타워와 파운드리 협력을 통해 타워의 65㎚ 전력관리 BCD(bipolar-CMOS-DMOS) 플로우를 제조하고, 타워는 3억달러를 투자한다.
신규 美 파운드리 협력, 타워 3억불 투자
인텔 파운드리 서비스(IFS)가 타워 세미컨덕터(Tower Semiconductor)의 65㎚ 전력관리 BCD(bipolar-CMOS-DMOS) 플로우를 제조한다.
인텔은 6일 타워와 파운드리 협력을 발표했다.
타워는 美 뉴멕시코 주에 위치한 인텔 생산시설을 활용하게 된다.
타워는 뉴멕시코 시설에 설치할 장비 및 기타 고정 자산 확보 및 소유에 최대 3억달러를 투자할 예정이다.
이를 통해 타워의 미래 성장을 위한 월간 60만 장 이상의 포토레이어 처리 역량을 확보해 첨단 300㎜ 첨단 아날로그 프로세싱에 대한 예상 고객 수요를 지원할 수 있게 된다.
양사는 이번 계약을 통해 최고의 솔루션과 제조 역량을 바탕으로 파운드리 시장 내 영향력을 확대하기 위해 노력한다.
인텔은 뉴멕시코 주 리오란초(Rio Rancho) 소재 인텔 11X 팹(Fab)에서 타워의 65나노미터(nm) 전력 관리 BCD(bipolar-CMOS-DMOS) 플로우를 제조한다.
스튜어트 팬(Stuart Pann) 인텔 부사장 및 인텔 파운드리 서비스 총괄은 “인텔은 세계 최초의 개방형 시스템 파운드리를 제공하기 위한 장기적인 비전을 가지고 인텔 파운드리 서비스(IFS)를 시작했다. 이 비전은 안전하고 지속가능하며 견고한 공급망을 구축하면서 인텔 및 생태계 파트너가 협력할 수 있도록 하는 것”이라며 “인텔이 제공하는 특별한 가치를 타워 세미컨덕터가 인식하고 인텔과 함께 미국 내 300㎜ 생산 역량을 확보하기 위해 협력한 것에 매우 기쁘다”고 말했다.
러셀 엘완거(Russell Ellwanger) 타워 세미컨덕터 CEO는 “인텔과 지속적으로 협력할 수 있어 기쁘다. 타워 세미컨덕터는 선도적인 기술 솔루션을 대규모로 생산하고 고객 파트너십을 확장하는 데 초점을 맞추고 있다”며 “타워 세미컨덕터는 인텔과의 협력을 통해 2024년 완전한 공정 플로우 자격 검증과 함께 고급 전력 관리 및 RF SOI 솔루션에 중점을 두고 고객의 지속적인 수요를 충족할 수 있다. 이번 발표는 인텔과 함께 여러 시너지를 발휘할 수 있는 솔루션을 내기 위한 첫 발걸음이라고 생각한다”고 말했다.