김주선 SK하이닉스 사장(AI Infra 담당)이 SK하이닉스가 9월 말부터 HBM3E 12단 제품 양산에 돌입하고, HBM4를 고객 요구에 맞춰 적기에 공급할 수 있도록 순조롭게 개발 중이라고 밝혔다.

김주선 SK하이닉스 사장은 지난 4일 SEMICON TAIWAN에서 ‘AI 메모리 기술의 새로운 가능성을 열다(Unleashing the possibilities of AI memory technology)’를 주제로 키노트를 진행했다.

이 발표는 SEMICON TAIWAN ‘CEO Summit’에서 진행됐다.

김주선 사장은 AI가 발전해 AGI(인공일반지능) 수준에 다다르기 위해서는 전력과 방열, 그리고 메모리 대역폭과 관련된 난제들을 해결해야 한다고 밝혔다.

큰 문제 중 하나는 전력에 대한 것으로 2028년에는 데이터센터가 현재 소비하는 전력의 최소 두 배 이상을 사용할 것으로 추정되며, 충분한 전력 공급을 위해 소형모듈원전 같은 새로운 형태의 에너지가 필요할 수도 있다고 언급했다.

이와 함께 데이터센터에서 더 많은 전력이 사용되면 비례해서 발생하는 열도 늘어나는 만큼 AI 기술의 지속 발전을 위해서는 열 문제를 해결하기 위한 효과적인 방안을 찾아야 하고, 이를 위해 SK하이닉스는 파트너들과 함께 고용량, 고성능에도 전력 사용량을 최소화해 열 발생을 줄일 수 있는 고효율 AI 메모리 개발을 시도하고 있다고 밝혔다.

또한 AI 구현에 적합한 초고성능 메모리 수요가 증가하고 있고, 챗GPT가 도입되기 전까지 대역폭과 관련된 문제는 그다지 중요하지 않았으나 AI 기술이 발전할수록 메모리 대역폭 향상에 대한 요구가 점점 더 커지고 있다고 말했다.

이런 장애물들을 극복하기 위해 SK하이닉스는 현재 HBM3E, 고용량 서버 DIMM, QLC 기반 고용량 eSSD와 LPDDR5T를 시장에 공급하고 있다고 언급했다.

SK하이닉스는 올해 초부터 HBM3E 8단 제품을 업계 최초로 공급 중이며, 이번 달 말부터 HBM3E 12단 제품 양산에 돌입할 계획이다.

일반 서버와 비교해 AI 서버는 4배 이상의 메모리 용량이 필요한데, 이를 위해 회사는 TSV 기술 기반 서버용 256GB DIMM을 공급 중이다.

또한 SK하이닉스는 QLC 기반 고용량 eSSD를 양산하는 유일한 공급업체로, 향후 전력 효율과 공간 최적화에 크게 기여할 120TB 모델을 선보일 계획이다. 마지막으로 LPDDR5T는 초당 9.6기가비트의 속도로 데이터를 처리하는 온디바이스 AI에 최적화된 제품이다.

미래를 위한 제품과 기술 개발도 순조롭게 진행하고 있다. SK하이닉스는 HBM4를 고객 요구에 맞춰 적기에 공급할 수 있도록 순조롭게 개발 중이다. 베이스다이에 로직 기술을 처음으로 적용하는 HBM4는 TSMC와 협업을 통해 생산할 예정이며, 최고의 성능을 발휘하게 될 것이다. 또한 LPCAMM, CXL, 512GB 고용량 DIMM 등 차세대 메모리 제품을 착실히 준비하고 있다.

낸드 분야에서도 SK하이닉스는 최첨단 제품을 지속 개발할 것이다. 또한 SK하이닉스는 최대 40Gbps를 지원하는 업계 최고 성능의 GDDR7을 양산할 준비가 마무리 단계에 들어섰으며, 혁신적인 대역폭과 전력을 갖춘 LPDDR6도 개발하고 있다.

김주선 사장은 제품, 기술 개발을 위한 R&D 투자뿐만 아니라 인프라 투자도 계획대로 진행할 예정이라며 SK하이닉스는 부지조성 공사가 순조롭게 진행 중인 용인 반도체 클러스터에 최첨단 생산시설을 구축할 예정이며, 이곳을 기반으로 글로벌 여러 파트너들과 긴밀한 협력을 나누게 될 것이라고 밝혔다.

또한 SK하이닉스는 2028년 양산을 목표로 미국 인디애나에 첨단 패키지 공장과 R&D 시설을 건설할 계획으로, 주요 고객 및 파트너들과의 협력을 강화하는데 도움이 될 것이라고 언급했다.