웨이비스가 국방기술진흥연구소에서 주관하는 총 64억원 규모의 ‘차세대 방공무기체계 레이더용 X-대역 FEM (프론트엔드 모듈) 연구개발 과제’ 수행업체로 선정됐다고 5일 밝혔다.
GaN 기반 X-대역 고출력 송수신 모듈의 FEM 핵심부품 개발
웨이비스가 국방기술진흥연구소에서 주관하는 총 64억원 규모의 ‘차세대 방공무기체계 레이더용 X-대역 FEM (프론트엔드 모듈) 연구개발 과제’ 수행업체로 선정됐다고 5일 밝혔다.
방산혁신기업 100 기술개발전용지원 사업으로 총 3년간 진행되는 이번 연구개발 과제를 통해 웨이비스는 GaN (질화갈륨) 기반 X-대역 고출력 송수신 모듈의 FEM 핵심부품 개발한다. 국내 양산 Fab을 활용해 차세대 방공무기체계의 핵심 칩인 GaN MMIC (모놀리식 마이크로파 집적회로)를 개발함과 동시에 안정적인 국내 공급망을 확보하는 것이 목적이다.
GaN MMIC는 첨단 무기체계 내 다기능레이더 송수신부에서 핵심적인 기능을 수행하는 부품이다. 그러나 수출 규제 등으로 인해 해외 의존도가 높아 안정적인 공급망 확보가 절실한 상황이었다. 이번 과제를 통해 웨이비스는 국내 유일의 GaN RF 반도체 칩 양산 Fab을 활용해 핵심 부품의 수급 리스크를 최소화하고 국내 방위산업의 경쟁력을 강화할 것으로 기대된다.
최근 우크라이나-러시아, 이스라엘-팔레스타인 분쟁으로 방공 시스템의 전략적 중요성이 부각되며 국내에서도 자립적인 한국형 미사일 방어체계(KAMD) 구축의 필요성이 커지고 있다. 특히 미사일 방어체계 레이더의 핵심 기술인 GaN 기반 고출력 송수신 모듈은 미국, 유럽, 일본 등 일부 선진국만 보유하고 있다. 이번 과제를 통해 방위산업의 핵심 기술 자립화와 안정적인 공급망 확보가 기대된다.
웨이비스 개발팀장 전병철 전무는 “이번 연구개발 과제 선정을 통해 국내 방산기술 혁신에 기여하게 돼 기쁘다"면서 "이번에 개발되는 X-대역 FEM은 방공 무기체계뿐만 아니라 항공, 함정, 유도 무기 등 다양한 차세대 무기체계에 적용될 수 있는 핵심 부품으로, 앞으로 웨이비스가 참여하는 방산 무기체계 개발 및 양산 프로젝트가 확대될 것으로 기대한다”고 밝혔다.
한편, 웨이비스는 국내 최초로 GaN RF 반도체 칩 양산 기술 국산화에 성공했으며, 칩-패키지트랜지스터-모듈 등 전 제품군의 양산 시설을 갖춘 국내 유일의 GaN RF 반도체 IDM이다. 웨이비스는 2022년 47억원, 2023년 169억원의 매출을 달성하며 빠른 성장세를 보이고 있다.