지능형 전력 및 센싱 기술 선도 기업 온세미(Onsemi)가 AI 및 전기화 전력 수요 대응을 위해 800만달러를 투자한다.

온세미는 22일 스토니브룩대학교(Stony Brook University)와 손잡고 와이드 밴드갭(Wide Bandgap) 소재 연구 센터를 설립한다고 밝혔다.

양측은 이 센터에 800만달러를 투입하며, 엠파이어 스테이트 디벨롭먼트(Empire State Development)와 맺은 2,000만달러 규모 전략적 협력의 일환으로 뉴욕을 전력 반도체 혁신 허브로 육성할 계획이다.

새 연구 센터는 실리콘 카바이드(SiC)를 비롯해 와이드 밴드갭 소재와 디바이스 구현 기술의 기초 연구를 강화하는 데 주력한다.

AI 데이터 센터와 전기차 충전 인프라 등 전력 수요 증가가 가속화되는 글로벌 메가트렌드에 대응해 전력 반도체의 에너지 효율과 신뢰성을 획기적으로 개선하는 것이 목표다.

시설은 2027년 초 완전 가동을 목표로 하며, 소재 개발·디바이스 통합·성능 특성화 전용 실험실과 첨단 장비를 갖춰 연구 역량을 극대화한다.

온세미 기업 전략 수석 부사장 디네시 라마나선은 “첨단 전력 반도체는 AI와 전기화의 광범위한 채택을 가능하게 하는 핵심”이라며 “새 센터가 글로벌 메가트렌드에서 가장 중요한 분야의 혁신을 가속할 것”이라고 강조했다.

뉴욕 주지사 캐시 호컬은 “스토니브룩대학교의 최첨단 연구 시설은 칩 산업 재건과 국가 안보 강화의 다음 단계”라며 “뉴욕을 미국 반도체의 중심으로 발전시키는 데 중요한 역할을 할 것”이라고 밝혔다.

스토니브룩대는 이 협력을 바탕으로 학부 부전공, 대학원 석사 과정, 반도체 자격증 프로그램을 개발해 차세대 와이드 밴드갭 전문 인력을 양성한다.

신임 총장 안드레아 골드스미스는 “온세미와의 공공-민간 파트너십은 기술 혁신과 경제 발전을 동시에 견인한다”고 말했다.

센터 연구는 스토니브룩대 재료과학·화학공학과 마이클 더들리 교수가 이끌며, 발라지 라고타마차르·딜립 거사페 교수가 참여한다. 이들은 SiC 성장 기술과 고성능 전력 반도체 디바이스 개발을 주도할 예정이다.