SK하이닉스가 메모리 업계 최초로 차세대 반도체 제조 핵심 장비인 ‘High NA EUV(High Numerical Aperture Extreme Ultraviolet Lithography)’를 양산 라인에 도입하며, 차세대 반도체 기술 선도에 본격 나섰다.

SK하이닉스는 ASML의 차세대 노광 장비 ‘EXE:5200B’를 경기도 이천 M16 팹(Fab)에 반입하고, 9월3일 기념 행사를 개최했다.

이번 도입은 글로벌 반도체 기술 경쟁에서 SK하이닉스의 기술 리더십을 공고히 하는 중요한 이정표로 평가된다.

도입된 장비는 네덜란드 ASML이 개발한 ‘트윈스캔 EXE:5200B’로, High NA EUV 최초의 양산용 모델이다.

기존 EUV 장비의 NA(개구수) 0.33 대비 40% 향상된 NA 0.55를 적용해, 1.7배 더 정밀한 회로 형성과 2.9배 높은 집적도를 구현할 수 있다.

이는 현존 반도체 장비 중 가장 미세한 회로 패턴을 구현할 수 있는 수준이다.

SK하이닉스는 이 장비를 통해 기존 EUV 공정을 단순화하고, 차세대 메모리 개발 속도를 가속화해 제품 성능과 원가 경쟁력을 동시에 확보할 계획이다.

이날 행사에는 ASML코리아 김병찬 사장, SK하이닉스 차선용 CTO(미래기술연구원장), 이병기 제조기술 담당 부사장 등이 참석해 차세대 D램 생산 장비 도입을 기념했다.

차선용 CTO는 “이번 장비 도입은 SK하이닉스가 추진 중인 미래 기술 비전을 실현하기 위한 핵심 인프라 확보”라며 “AI와 차세대 컴퓨팅 시장이 요구하는 최첨단 메모리를 가장 앞선 기술로 개발해 AI 메모리 시장을 선도하겠다”고 밝혔다.

ASML코리아 김병찬 사장은 “High NA EUV는 반도체 산업의 미래를 여는 핵심 기술”이라며 “SK하이닉스와 긴밀히 협력해 기술 혁신을 앞당길 수 있도록 적극 지원하겠다”고 말했다.

SK하이닉스는 지난 2021년 10나노급 4세대(1anm) D램에 EUV를 처음 도입한 이후, 지속적으로 최첨단 D램 제조에 EUV 기술을 확대 적용해왔다.

반면에 미래 반도체 시장에서 요구되는 극한 미세화와 고집적화를 위해서는 기존 EUV를 넘어서는 기술이 필요했고, 이번 High NA EUV 도입은 그 해답이 됐다.

회사는 이번 장비 도입을 통해 고부가가치 메모리 시장에서의 입지를 강화하고, 글로벌 고객의 니즈에 신속하게 대응할 수 있는 기반을 마련했다고 밝혔다. 또한 파트너사와의 협력을 통해 글로벌 반도체 공급망의 신뢰성과 안정성도 한층 강화할 방침이다.