삼성전자가 엔비디아 GTC 2026에 참가해 차세대 고대역폭 메모리(HBM) 기술과 AI 인프라를 아우르는 메모리 통합 전략을 선보이며 글로벌 AI 생태계에서의 입지를 강화했다.

삼성전자는 17일 미국 새너제이에서 열린 엔비디아 GTC 2026에서 차세대 HBM4E 실물 칩을 처음 공개하고, 엔비디아의 차세대 AI 플랫폼 ‘베라 루빈(Vera Rubin)’을 구현하는 핵심 메모리 파트너로서의 역량을 강조했다.

삼성전자는 전시 공간에 ‘HBM4 히어로 월’을 마련해 HBM4부터 메모리 로직 설계, 파운드리 공정, 첨단 패키징까지 아우르는 종합반도체 기업(IDM)으로서의 기술 경쟁력을 집중 조명했다.

특히 1c D램 공정과 삼성 파운드리의 4나노 기술을 기반으로 개발 중인 HBM4E 칩과 코어 다이 웨이퍼를 최초로 공개하며 차세대 AI 메모리 로드맵을 제시했다.

HBM4E는 핀당 최대 16Gbps의 전송 속도와 4TB/s에 달하는 대역폭을 지원하도록 설계됐다.

삼성전자는 자체 메모리 기술과 로직 설계, 패키징 역량을 결합해 고성능과 안정성을 동시에 확보했다는 설명이다.

또한 기존 본딩 방식 대비 열 저항을 20% 이상 낮추고 16단 이상 적층이 가능한 하이브리드 구리 본딩(HCB) 기술도 함께 소개해 차세대 HBM 구현을 위한 패키징 경쟁력을 부각했다.

삼성전자는 엔비디아 베라 루빈 플랫폼에 적용되는 메모리와 스토리지를 통합 공급할 수 있는 유일한 기업이라는 점도 강조했다.

전시 부스에서는 루빈 GPU용 HBM4, 베라 CPU용 SOCAMM2, PCIe Gen6 기반 서버 SSD PM1763을 플랫폼과 함께 선보이며 양사의 협력 관계를 시각적으로 구현했다.

SOCAMM2는 LPDDR 기반 서버 메모리 모듈로, 업계 최초로 양산 출하가 시작됐다.

이와 함께 삼성전자는 AI 데이터센터와 온디바이스 AI, 피지컬 AI를 주제로 한 전시 존을 구성해 GDDR7, LPDDR6, 차세대 서버 SSD 등 다양한 메모리 솔루션을 소개했다.

행사 둘째 날에는 송용호 삼성전자 AI센터장이 엔비디아의 초청으로 발표에 나서, 차세대 AI 시스템을 뒷받침하는 메모리 통합 전략과 AI 인프라 혁신 비전을 제시한다.

삼성전자는 “AI 성능 경쟁이 심화될수록 메모리와 스토리지의 역할이 더욱 중요해질 것”이라며, 엔비디아와의 협력을 통해 차세대 AI 인프라 시장을 선도해 나가겠다는 계획을 밝혔다.