한국전기연구원(KERI) 김남균 연구부원장이 SiC 전력반도체 기술 진흥을 통해 전기전자재료학회 발전을 이끈 공로를 인정받았다.

전기연구원은 강원도 평창에서 열린 ‘한국전기전자재료학회 하계학술대회(6.22∼24)’에서 김남균 연구부원장이 탄화규소(SiC) 전력반도체의 기술 진흥과 학회 발전에 기여한 공로를 인정받아 ‘자랑스런 전기전자재료인상’을 수상했다.

한국전기전자재료학회(학회장 김경환)는 전기전자·재료에 관한 학술과 기술의 발전 및 보급에 기여하기 위해 1987년 설립된 전문 단체다.

이 학회 부회장이기도 한 김남균 부원장은 ‘SiC 반도체 재료·소자 전문 연구회’를 설립해 SiC 전력반도체 기술 교류를 주도하는 등 네트워킹과 기술 확산 활동으로 그간 불모지에 가까웠던 한국의 SiC 기술을 선진국 수준으로 높이는데 기여한 공로를 인정받았다.

SiC 전력반도체는 실리콘 반도체 대비 월등한 특성으로 인버터의 효율을 높일 뿐만 아니라 크기와 무게를 줄일 수 있어 국내외 수많은 전기차에 적용되고 있는 프리미엄급 반도체다.

김 부원장과 한국전기연구원 전력반도체연구단은 SiC 전력반도체의 국산화를 넘어 저가격·대량생산까지 이끌어내는 ‘트렌치 모스펫’ 기술을 최근 개발해 국내 산업체에 이전하는 등 기술 발전과 산업화에 앞장서 왔다.

최근 SiC 반도체 국제학회인 ‘ICSCRM(International Conference on Silicon Carbide and Related Materials)’의 2025년 국내(부산) 개최를 추진 중인 김 부원장은 “부산 개최권을 성공적으로 확보하면 아시아 지역으로는 처음으로 일본 이외의 국가에서 이 학회를 개최하는 것으로, 한국의 SiC 관련 역량을 공인받는다는 의미”라며 “국내 전력반도체 산업의 한 단계 도약을 이끌고, 한국전기전자재료학회 위상 강화에도 큰 역할을 해줄 ICSCRM 유치에 최선을 다할 것”이라고 각오와 기대를 숨기지 않았다.