[편집자주] 반도체 업계 낸드플래시 적층이 200단을 넘어섰다. 싱글 스택으로 128단을 쌓은 삼성전자 외에는 200단을 넘기 힘들 거라던 지난 말들이 무색하게 적층 경쟁에서 선두에 선 것은 다름아닌 232단을 쌓아 올린 미국의 마이크론이었다. SK하이닉스가 이에 질세라 238단 낸드 플래시 상용화를 예고하며 200단대 선두 싸움에 뛰어들었다. 삼성은 올 초 172단 7세대 V낸드를 UFS 4.0에 탑재하며 관망하는 모양새지만 200단대 기술 확보는 이미 완료됐다며 자신감을 내비쳤다. 200단 낸드 시대, 반도체 제조사들의 격돌을 살펴봤다.
D램 세대교체가 본격화되고 있다. 국내는 삼성전자, SK하이닉스 등이 DDR5 D램을 생산하며 차세대 시장 선점에 나선 가운데 강력한 경쟁자인 마이크론이 차세대 서버용 D램을 DDR5 규격으로 출시하며 기술력을 과시했다. DDR5는 전세대인 DDR4 대비 △더 큰 대역폭과 빠른 전송속도 △낮은 소비 전력 △최대 용량 증가 등의 장점을 가져 시장의 주목을 받는 차세대 D램 규격이다.
처리 속도를 혁신적으로 끌어올리기 위해 등장한 ‘HBM(High Bandwidth Memory)’은 여러 개의 D램을 TSV(실리콘 관통 전극) 기법으로 수직 연결한 고대역폭 메모리다. HBM 시장은 삼성전자와 SK하이닉스가 양대 산맥을 차지하고 있으며, 마이크론이 이를 뒤쫓고 있다. 트렌드포스에 따르면 지난해 글로벌 HBM 시장 점유율은 SK하이닉스가 50%, 삼성전자(40%), 마이크론(10%)으로 나타났다. 2026년 엔비디아 및 아마존, 구글, MS 등과 같은 클라우드 서비스 제공사(Cloud Service Provider, CSP)의 수요에 맞춰 출시될 HBM4는 지금의 반도체와는 다른 방식이 도입된다.